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Si佐藤 真直*; 小池 良浩; 片野 進; 目時 直人; 門脇 広明*; 河原崎 修三*
Journal of the Physical Society of Japan, Vol.70, Supplement A, p.118 - 120, 2001/00
中性子非弾性散乱実験によってCeRuSiの強磁場下におけるメタ磁性の起源を調べた。この結果、メタ磁性が起こる約7.7テスラ近傍の磁場で、0.4MeVのエネルギーを持つ強磁性的な磁気励起が強く誘起されることがわかった。典型的な重い電子系であるこの化合物のメタ磁性の出現は、磁場で誘起された強磁性相関の急激な発達によることを示している。
芳賀 芳範; 山本 悦嗣; 木村 憲彰*; 辺土 正人*; 大國 仁*; 大貫 惇睦*
J. Magn. Magn. Mater., 177-181, p.437 - 438, 1998/00
被引用回数：8 パーセンタイル：44.21(Materials Science, Multidisciplinary)ウラン-金属間化合物の多くは磁性を示し、低温で重い電子状態を形成し、あるものは超伝導に転移する。低温での現象には必ず不純物の影響が現れるために極めて純良な試料を育成しなければならない。このためにわれわれは高周波帯溶融炉による原料ウランの精製及び固相電解による単結晶試料の熱処理を行った。これらを組合せた結果、UPt
では残留抵抗比が640に達し、UPdAlでも超伝導転移温度2.0Kの最高品質の試料が得られ新たな実験結果が得られた。固相電解は、一部のインコングルエント化合物にも有効であり、CeRuでは抵抗比300の試料が得られ、ドハース・ファンアルフェン効果の観測に初めて成功した。
鈴木 淳市; 目時 直人; 芳賀 芳範; 山本 悦嗣; 門脇 広明*; 加倉井 和久*; 辺土 正人*; 大貫 惇睦*
Physica B; Condensed Matter, 241-243, p.871 - 873, 1998/00
被引用回数：7 パーセンタイル：46.43(Physics, Condensed Matter)CeRuのボルテックス構造を中性子散乱で調べた。低磁場では、ボルテックスはアブリコゾフ格子を形成し、磁場分布はS波対形成機構の存在を示唆する。しかし、高磁場中では、ボルテックス格子の構造は試料の冷却過程に大きく依存する。残留抵抗比の低い試料では、50nmのサイズを持つ構造不完全性が観測されることから、この不完全性がピンとして働き、冷却過程依存性を産み出す原因と考えられる。
within local-density functional theory樋口 雅彦*; 長谷川 彰*
Journal of the Physical Society of Japan, 65(5), p.1302 - 1311, 1996/05
被引用回数：25 パーセンタイル：78.32(Physics, Multidisciplinary)重い電子系物質であるCeRuは、タイプ-IIの超伝導体であり、磁化ヒステリシス現象が超伝導の混合状態で生じるなど大変に興味深い。今回、それらCeRuの物性の基礎を明らかにするために、常伝導状態での電子構造とフェルミ面を理論計算した。計算に用いた方法は相対論的線形化APW法である。結果は、フェルミ面は4つバンドから構成されていて、20番目のホール面を除いて閉じた形である。フェルミ面の有効性は、実験でのdHvA効果の角度依存性と比較することによって証明された。それによると観測された主要なdHvAブランチはすべて理論より説明することが可能である。更に本論文では、未観測の実験ブランチの予測を与えている。
